HC/HCT6323A是高速硅栅CMOS器件。

其规格符合JEDEC标准no. 7A。

HC/HCT6323A是专门针对石英晶体设计的振荡器，结合了一个可编程3态计数器、一个3态输出缓冲器和一个覆盖异步主复位(MR)。凭借两个选择输入S1和S2，计数器可在- 1、2、4或8分频模式中切换。如果处于浮空状态，时钟为8分频。振荡器设计为在基础模式或第三个谐波模式下工作，具体取决于采用的晶体和外部元件。片上电容可使第三个谐波晶体应用中的外部元件数最少。

振荡器可由输入X1上的外部时钟信号代替。在这种情况下，另一个振荡器针脚(X2)必须浮空。计数器在X1负向跃迁时进位。MR上的低电平可复位计数器、使振荡器停止并在3态条件下设置输出缓冲器。由于内部上拉电阻会使MR处于非激活状态，MR因此可处于浮空状态。在HCT版本中，MR输入以及两个模式选择针脚S1和S2为TTL兼容，但X1输入具有CMOS输入开关电平，通过使用连接到VCC的上拉电阻可由TTL输出驱动。

• 8针空间节省型封装
• 可编程3级纹波计数器
• 适合高达50 MHz (VCC = 5 V ±10 %)的谐波晶体应用
• 3态输出缓冲器
• 两个内部电容
• 建议的工作范围，适用于3至6 V的第三个谐波晶体
• 振荡器停止功能(MR)
• 输出能力：总线驱动器→ (15 LSTTL)
• ICC类别：MSI

• 控制计数器
• 定时器
• 分频器
• 延时电路
• CIO（紧凑型集成式振荡器）
• 第三个谐波晶体操作

• BC847QAS - 45 V, 100 mA NPN/NPN general-purpose transistor
• PDTA144WT - PNP配电阻晶体管；R1 = 47 kOhm，R2 = 22 kOhm
• 2N7002CK - 60 V，0.3 A N沟道Trench MOSFET
• 74LVC11PW - 三路3输入与门
• PBSS5540X - 40 V、5 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• BGU8H1UK - SiGe:C Low Noise Amplifier MMIC for LTE
• 74LVC2GU04GW - 双路反相器
• 74LVT573PW - 3.3 V八进制D型透明锁存器；3态
• 74AXP1G09 - 低功耗2输入与门，带开漏输出
• BUK9660-100A - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET