74ALVCH16373是16位D型透明锁存器，具有适用于每个锁存器的单独D型输入和适合总线应用的3态输出。

集成了总线保持数据输入，无需使用外部上拉或下拉电阻来保持未使用的输入。

每个8位部分都提供一个锁存使能(LE)输入和一个输出使能(OE)。

74ALVCH16373由八个带3态真正输出的D型透明锁存器的2部分组成。LE为高电平时，nDn输入处的数据会输入锁存器。在这种情况下，锁存器是透明的，因此每当与锁存输出对应的D输入发生变化时，锁存输出就会随之变化。

LE为低电平时，锁存器存储LE从低电平跃迁至高电平前的一个设置时间在nDn输入处出现的信息。OE为低电平时，八个锁存器的内容可在输出上获取。OE为高电平时，输出转为高阻抗关断状态。OE输入的操作不会影响锁存器的状态。

• 1.2 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 符合JEDEC标准JESD8-B
• CMOS低功耗
• MULTIBYTE直通式标准针脚排列架构
• 多个低电感VCC和GND针脚，可实现最低噪声和地弹
• 具有TTL电平的直接接口
• 所有数据输入都具有总线保持
• 85 °C时输出驱动能力为50 Ω的传输线路
• VCC = 3.0 V时电流驱动± 24 mA

• 74ALVC16835ADGG - 18位寄存驱动器（3态）
• PUMB16 - PNP/PNP配电阻晶体管；R1 = 22 kOhm，R2 = 47 kOhm
• BZX384-B6V8 - 稳压器二极管
• 74ABT16240ADL - 16位反相缓冲器/线路驱动器；3态
• BZB84-B15 - 双倍齐纳二极管
• PHD38N02LT - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• PZU4.3B2A - 单倍齐纳二极管
• 74LV123DB - 双可再触发单稳态多谐振荡器，带重置
• PSMN057-200B - N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET
• CBTD16211DL - 24位电平转换总线交换开关，具有12位输出使能