74ALVCH16373是16位D型透明锁存器，具有适用于每个锁存器的单独D型输入和适合总线应用的3态输出。

集成了总线保持数据输入，无需使用外部上拉或下拉电阻来保持未使用的输入。

每个8位部分都提供一个锁存使能(LE)输入和一个输出使能(OE)。

74ALVCH16373由八个带3态真正输出的D型透明锁存器的2部分组成。LE为高电平时，nDn输入处的数据会输入锁存器。在这种情况下，锁存器是透明的，因此每当与锁存输出对应的D输入发生变化时，锁存输出就会随之变化。

LE为低电平时，锁存器存储LE从低电平跃迁至高电平前的一个设置时间在nDn输入处出现的信息。OE为低电平时，八个锁存器的内容可在输出上获取。OE为高电平时，输出转为高阻抗关断状态。OE输入的操作不会影响锁存器的状态。

• 1.2 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 符合JEDEC标准JESD8-B
• CMOS低功耗
• MULTIBYTE直通式标准针脚排列架构
• 多个低电感VCC和GND针脚，可实现最低噪声和地弹
• 具有TTL电平的直接接口
• 所有数据输入都具有总线保持
• 85 °C时输出驱动能力为50 Ω的传输线路
• VCC = 3.0 V时电流驱动± 24 mA

• 74AUP2G38DC - 低功耗双路2输入与非门；开漏
• PCA8886TS - 双通道电容式接近开关，具有自动校准和宽工作电压范围
• PBRP113ZT - PNP 800 mA，40 V BISS RETs；R1 = 1 kOhm，R2 = 10 kOhm
• PHPT61006NY - 100 V、6A NPN高功率双极性晶体管
• P5CD016X0 - 安全双接口和接触式PKI智能卡控制器
• 74HC126DB - 四路缓冲器/线路驱动器；3态
• PZU9.1B - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• BFU660F - NPN宽带硅RF晶体管
• BAT54H - 采用小型SOD123F封装的单倍肖特基势垒二极管
• BZX384-C62 - 稳压器二极管