74HC40105；74HCT40105是先入先出(FIFO)“弹性”存储寄存器，可以存储16个4位字。该类器件能够用不同的移入移出速率处理输入和输出数据。其凭借该特性尤其适合用作异步系统之间的缓冲器。寄存器中的每个字位置由存储标记位的控制触发器计时。逻辑1表示该位置的数据已填充，逻辑0表示该位置存在数据空缺。控制触发器可检测前一个触发器的状态并将其状态告知后一个触发器。控制触发器处于逻辑0状态并在前一个触发器中看到逻辑1时，会产生一个时钟脉冲。时钟脉冲将数据从前四个数据锁存器传输到其自己的四个数据锁存器并将前一个触发器重置为逻辑0。第一个和最后一个控制触发器具有已缓存的输出。所有空位会将发送到输入端，而所有有效数据则波传送进位到输出端。因此，第一个控制触发器（数据输入就绪输出 - DIR）的状态指示的是FIFO是否已满。最后一个触发器（数据输出就绪输出 - DOR）的状态指示的是FIFO是否包含数据。由于最早的数据已从数据堆栈底部（输出端）删除，之后输入的所有数据将自动行波传送进位到输出。输入包括钳位二极管，能够使用限流电阻使输入与高于VCC的电压接合。

• 独立的异步输入和输出
• 任一方向上都可扩展
• 重智功能
• 输入和输出的状态指示
• 3态输出
• 输入电平：
  • 对于74HC40105：CMOS电平
  • 对于74HCT40105：TTL电平
• 3态输出
• 符合JEDEC标准JESD7A
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40?°C至+85?°C和-40?°C至+125?°C

• 74AUP1G386GF - 低功耗3输入异或门
• PDTA115T series - PNP配电阻晶体管；R1 = 100 kOhm，R2 = 开路
• BLS7G2325L-105 - 功率LDMOS晶体管
• BZT52H-B4V7 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
• BZX384-B6V8 - 稳压器二极管
• BCP69-16 - 20 V，2 A PNP中等功率晶体管
• BUK765R0-100E - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• SC16C2550BIBS - 5 V、3.3 V和2.5 V的双通道UART，5 Mbit/s（最快），带有16字节FIFO
• PTVS36VS1UTR - 高温400 W瞬态电压抑制器
• BLF6G38(S)-25 - WiMAX功率LDMOS晶体管