74HC/HCT4351是高速硅栅CMOS器件。该类器件的规格符合JEDEC标准no. 7A。

74HC/HCT4351是8通道模拟多路复用器/解复用器，带三个选择输入（S0至S2）、两个使能输入（E 1和E2）、一个锁存使能输入(LE)、八个独立输入/输出（Y0至Y7）和一个公共输入/输出(Z)。

E 1为低电平且E2为高电平时，通过S0至S2选择八个开关之一（低阻抗导通状态）。选择输入处的数据可通过使用低电平有效锁存使能输入(LE)锁存。LE为高电平时，锁存器是透明的。只要两个使能输入E 1（低电平有效）和E2（高电平有效）中的任意一个无源，就会关闭全部8个模拟开关。

VCC和GND是适用于数字控制输入（S0至S2、LE、E 1和E2）的电源电压针脚。 VCC至GND范围对于HC为2.0至10.0 V，对于HCT为4.5至5.5 V。模拟输入/输出（Y0至Y7以及Z）可在作为正极限的VCC和作为负极限的VEE之间波动。

VCC - VEE不得超过10.0 V。

对于作为数字多路复用器/解复用器的操作，VEE连接到GND（通常为接地）。

• 宽模拟输入电压范围 ：± 5 V
• 低导通电阻： VCC - VEE = 4.5 V时，80 Ω（典型值） VCC - VEE = 6.0 V时，70 Ω（典型值） VCC - VEE = 9.0 V时，60 Ω（典型值）
• 逻辑电平转换：实现5 V逻辑与±5 V模拟信号的通信
• 典型的“先断后通式”结构
• 提供地址锁存器
• 输出能力：非标准
• ICC类别：MSI

• BAS116H - 低漏电流开关二极管
• 74AUP1G79GW - 低功耗D型触发器；正沿触发器
• PESD3V3L1UA_UB_UL - 低电容单向ESD保护二极管
• 74HCT30D - 8输入与非门
• PDTA143EU - PNP配电阻晶体管；R1 = 4.7 kΩ，R2 = 4.7 kΩ
• PSMN6R5-80PS - N沟道80V 6.9m?标准电平MOSFET，采用TO220封装
• PUMF11 - NPN配电阻晶体管；PNP通用晶体管
• CBT3251DS - 8选1 FET多路复用器/解复用器
• BZX84-B11 - 稳压器二极管
• 74ALVC04PW - 六位元进制反相器