74HC3G34；74HCT3G34是高速硅栅CMOS器件。它们提供三个缓冲器门。

HC器件具有CMOS输入切换电平和2 V至6 V的电源电压范围。

HCT器件具有TTL输入切换电平和4.5 V至5.5 V的电源电压范围。

• 2.0 V至6.0 V的宽电源电压范围
• 对称输出阻抗
• 高抗噪性
• 低功耗
• 平衡传播延迟
• 多种封装选择
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114E超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PZU11B2 - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• BAS29; BAS31; BAS35 - （两个）通用受控雪崩二极管
• 74AUP3G04GT - 低功耗三路反相器
• 74LVC2G125GN - 双路总线缓冲器/线路驱动器；3态
• BZB84-B39 - 双倍齐纳二极管
• BZX884-C27 - 稳压器二极管
• 74AUP1G158GW - 低功耗2输入多路复用器；反相
• PESD5V0L1UL - 低电容单向ESD保护二极管
• PZU3.3B1 - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• PDTC123EM - NPN配电阻晶体管；R1 = 2.2 kOhm，R2 = 2.2 kOhm