74AUP3G04提供一个低功耗、低电压的三路反相缓冲器。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全针对使用IOFF的局部掉电应用设计。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78B II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 74AHC2G32GD - 双路2输入或门
• PHPT610030NPK - NPN/PNP high power double bipolar transistor
• MF3MODH2101DA4 - MIFARE DESFire EV1非接触式多用途芯片
• 74AVC16836A - 20位寄存驱动器，具有倒相寄存器使能和Dynamic Controlled Outputs(TM)（3态）
• BUK7640-100A - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• 74LVCH1T45GS - 双电源转换收发器；3态
• PCMF3HDMI2S - Common-mode EMI filter for differential channels with integrated ESD protection
• 74AXP1G11GN - Low-power 3-input AND gate
• BZX585-B2V7 - 稳压器二极管
• TEF6659HN - 基于DSP的无线电调谐器单芯片