74AUP3G04提供一个低功耗、低电压的三路反相缓冲器。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全针对使用IOFF的局部掉电应用设计。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78B II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PZU9.1B2 - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• BUK9510-100B - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• PMEG3050BEP - 5 A低V_F MEGA肖特基势垒整流二极管
• BZX585-B56 - 稳压器二极管
• PMZB950UPE - 20 V，P沟道Trench MOSFET
• PZU12B1 - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• PCT2075 (Automotive) - I2C总线Fm+，精度为1 ℃，数字温度传感器和温度监控器
• PZU16B3 - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• 74AHC(T)30 - 8输入与非门
• BGA7124 - 400 MHz至2700 MHz 0.25 W高线性度硅放大器