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BLL8H1214LS-500产品应用图解:
BLL8H1214LS-500产品封装图一
NXP产品 - BLL8H1214LS-500介绍
BLL8H1214LS-500 - LDMOS L-band radar power transistor

BLL8H1214LS-500是NXP公司的一款RF功率晶体管产品,BLL8H1214LS-500是LDMOS L-band radar power transistor,本站介绍了BLL8H1214LS-500的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BLL8H1214LS-500相关的NXP元器件型号供参考。

BLL8H1214LS-500 - LDMOS L-band radar power transistor - RF功率晶体管 - RF MMIC放大器与混频器 - 恩智浦, LLC

产品描述

500 W LDMOS power transistor intended for L-band radar applications in the 1.2 GHz to1.4 GHz range.

产品特性和优势
  • Easy power control
  • Integrated dual side ESD protection
  • High flexibility with respect to pulse formats
  • Excellent ruggedness
  • High efficiency
  • Excellent thermal stability
  • Designed for broadband operation (1.2 GHz to 1.4 GHz)
  • Internally matched for ease of use
  • Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding restriction of hazardous substances(RoHS)
产品应用
  • L-band power amplifiers for radar applications in the 1.2 GHz to 1.4 GHz frequencyrange
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