74HC257；74HCT257是高速硅栅CMOS器件，与低功耗肖特基TTL (LSTTL)针脚兼容。

74HC257和74HCT257具有四个相同的2输入多路复用器，带3态输出，其从两个数据源选择4位数据且受公共数据选择输入控制。

输入S为低电平时选中的是来自数据源0（1I0至4I0）的数据输入，S为高电平时选中的是数据源1（1I1至4I1）的数据输入。来自所选输入的数据以真正（非反相）形式出现在输出（1Y至4Y）处。

74HC257和74HCT257是4极2位置开关的逻辑实施，其中开关位置由施加到S的逻辑电平确定。OE为高电平时，输出被强制为高阻抗关断状态。

输出的逻辑方程式为：

1Y = OE ? (1I1 ? S ? 1I0 ?S)

2Y = OE ? (2I1 ? S ? 2I0 ?S)

3Y = OE ? (3I1 ? S ? 3I0 ?S)

4Y = OE ? (4I1 ? S ? 4I0 ?S)

除其非反相（真正）输出外，74HC257；74HCT257等同于74HC258。

• 非反相数据路径
• 3态输出直接连接系统总线
• 符合JEDEC标准no. 7A
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114E超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PDTC123E series - NPN配电阻晶体管；R1 = 2.2 kOhm，R2 = 2.2 kOhm
• PMEG1030EH; PMEG1030EJ - 10 V、3 A超低V_F MEGA肖特基势垒整流二极管
• 74LVC1G38GW - 2输入与非门；开漏
• BC56PAS - 45 V/60 V/80 V, 1 A NPN medium power transistors
• TFF1007HN - 适合VSAT应用的低相位噪声本振发生器
• BAT54CV - 两个双倍肖特基势垒二极管
• NT2L1211G0DUF - NTAG212，NFC Forum类型2标签兼容型IC，集成128字节用户存储器
• BUK9Y11-80E - N沟道80 V，11 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56封装
• BUK9518-55A - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• NXQ1TXA1 - Qi standard conforming charger controller