74HC164；74HCT164是8位串行输入/并行输出移位寄存器。该类器件具有两个串行数据输入（DSA和DSB）、八个并行数据输出（Q0至Q7）。通过DSA或DSB可串行输入数据且任意一个输入都可以用作高电平有效使能，实现通过另一个输入的数据输入。数据在时钟(CP)输入从低电平跃迁到高电平时移位。主复位输入(MR)上的低电平清零寄存器并将所有输出都强制为低电平，而与其他输入无关。输入包括钳位二极管。其能使用限流电阻将输入连接到高于VCC的电压。

• 输入电平：
  • 对于74HC164：CMOS电平
  • 对于74HCT164：TTL电平
• 门控串行数据输入
• 异步主复位
• 符合JEDEC标准no. 7A
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• BLF7G20LS-90P - 功率LDMOS晶体管
• BZT52H-C11 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
• PEMD17 - NPN/PNP配电阻晶体管；R1 = 47 kOhm，R2 = 22 kOhm
• PBSS5140T - 40 V、1 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• 74HC14DB - 十六进制反相施密特触发器
• PTVS64VS1UTR - 高温400 W瞬态电压抑制器
• BLF2425M8L(S)140 - 功率LDMOS晶体管
• PZU13B3A - 单倍齐纳二极管
• 74LVC2G06GM - 反相器，带开漏输出
• 74LVT16240A - 3.3 V LVT 16位反相缓冲器/驱动器（3态）