74HC257；74HCT257是高速硅栅CMOS器件，与低功耗肖特基TTL (LSTTL)针脚兼容。

74HC257和74HCT257具有四个相同的2输入多路复用器，带3态输出，其从两个数据源选择4位数据且受公共数据选择输入控制。

输入S为低电平时选中的是来自数据源0（1I0至4I0）的数据输入，S为高电平时选中的是数据源1（1I1至4I1）的数据输入。来自所选输入的数据以真正（非反相）形式出现在输出（1Y至4Y）处。

74HC257和74HCT257是4极2位置开关的逻辑实施，其中开关位置由施加到S的逻辑电平确定。OE为高电平时，输出被强制为高阻抗关断状态。

输出的逻辑方程式为：

1Y = OE ? (1I1 ? S ? 1I0 ?S)

2Y = OE ? (2I1 ? S ? 2I0 ?S)

3Y = OE ? (3I1 ? S ? 3I0 ?S)

4Y = OE ? (4I1 ? S ? 4I0 ?S)

除其非反相（真正）输出外，74HC257；74HCT257等同于74HC258。

• 非反相数据路径
• 3态输出直接连接系统总线
• 符合JEDEC标准no. 7A
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114E超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• NZX33B - 单倍齐纳二极管
• CBTD16211 - 24位电平转换总线交换开关，具有12位输出使能
• 74AHC377D - 带数据使能的八频D型触发器；正沿触发器
• PMEG4010EH_EJ_ET - 1 A极低VF MEGA肖特基势垒整流二极管
• NZX8V2C - 单倍齐纳二极管
• PTVS33VP1UP - 600 W瞬态电压抑制器
• BAV23A - 两个高压开关二极管
• GTL2018PW - 8位LVTTL至GTL收发器
• BZT52H-B75 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
• 74AXP1G57GX - Low-power configurable multiple function gate