74CBTLV3861是带一个输出使能(OE)输入的10位总线开关。OE为低电平时，该开关闭合且端口A连接到端口B。OE为高电平时，该开关处于禁用状态。

为确保上电或掉电期间的高阻抗关断状态，OE应当通过上拉电阻连接到VCC。电阻的最小值由驱动器灌入电流的能力确定。

控制输入处的施密特触发器动作使该电路能容许整个2.3 V至3.6 V的VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 2.3 V至3.6 V的电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM AEC-Q100-011修订版B超过1000 V
• 两个端口之间的5 Ω开关连接
• 数据I/O端口上的轨到轨切换
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA，符合JESD78B I类A级标准
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PMST2222 - NPN开关晶体管
• PLVA2665A - 双倍低压雪崩稳压器二极管
• CLF1G0035S-100P - 宽带RF功率GaN HEMT
• BUK9606-55A - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• 74CBTLV3125 - 4位总线开关
• 74LVC1G3157GS - 2通道模拟多路复用器/解复用器
• PDTA123JT - PNP配电阻晶体管；R1 = 2.2 kΩ，R2 = 47 kΩ
• SC18IS600IPW - SPI至I2C总线接口
• PESD3V3L1UB - 低电容单向ESD保护二极管
• PMZB290UN - 20 V，单N沟道Trench MOSFET