74CBTLV1G125提供单个高速线路开关。输出使能(OE)输入为高电平时，该开关处于禁用状态。

为确保上电或掉电期间的高阻抗关断状态，通过上拉电阻将OE连接到VCC。驱动器灌入电流的能力确定电阻的最小值。

控制输入处的施密特触发器动作使该电路能容许整个2.3 V至3.6 V的VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 2.3 V至3.6 V的电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 两个端口之间的5 Ω开关连接
• 数据I/O端口上的轨到轨切换
• CMOS低功耗
• 闭锁性能满足JESD78 I类要求
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 74ABT16240ADL - 16位反相缓冲器/线路驱动器；3态
• HTMS8101FUG - HITAG μ (ISO14223)和(ISO11784/85)应答器IC
• 74LVC2G66DP - 双向开关
• PHP18NQ10T - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• PN7120A0EV - Full NFC Forum-compliant controller with integrated firmware and NCI interface
• 74HCT132D - 四路2输入与非施密特触发器
• 74LVTH244ABQ - 3.3 V八位元缓冲器/线路驱动器；3态
• PMCM4401VNE - 12V, N-channel Trench MOSFET
• BLF9G38LS-90P - Power LDMOS transistor
• PDTA123ET - PNP配电阻晶体管；R1 = 2.2 kOhm，R2 = 2.2 kOhm