74CBTLV1G125提供单个高速线路开关。输出使能(OE)输入为高电平时，该开关处于禁用状态。

为确保上电或掉电期间的高阻抗关断状态，通过上拉电阻将OE连接到VCC。驱动器灌入电流的能力确定电阻的最小值。

控制输入处的施密特触发器动作使该电路能容许整个2.3 V至3.6 V的VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 2.3 V至3.6 V的电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 两个端口之间的5 Ω开关连接
• 数据I/O端口上的轨到轨切换
• CMOS低功耗
• 闭锁性能满足JESD78 I类要求
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 74AHC2G00DC - 双路2输入与非门
• 74AHCU04 - 六位元进制反相器
• PCA2002 - 带有可编程输出周期和脉冲宽度的32 kHz表电路
• BZB984-C3V0 - 双倍稳压器二极管
• XC7SH02 - 2输入或非门
• BC847BW - 45 V，100 mA NPN通用晶体管
• PBLS1502Y; PBLS1502V - 15 V PNP BISS负载开关
• BUK9237-55A - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• 74AUP1G06GS - 低功耗反相器，带开漏输出
• BUK9K52-60E - 双N沟道60 V，55 mΩ逻辑电平MOSFET