74CBTLV1G125提供单个高速线路开关。输出使能(OE)输入为高电平时，该开关处于禁用状态。

为确保上电或掉电期间的高阻抗关断状态，通过上拉电阻将OE连接到VCC。驱动器灌入电流的能力确定电阻的最小值。

控制输入处的施密特触发器动作使该电路能容许整个2.3 V至3.6 V的VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 2.3 V至3.6 V的电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 两个端口之间的5 Ω开关连接
• 数据I/O端口上的轨到轨切换
• CMOS低功耗
• 闭锁性能满足JESD78 I类要求
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• NCF29A1MHN - Tiny single chip passive keyless entry/go solution
• 74HC126DB - 四路缓冲器/线路驱动器；3态
• BZV85-C27 - 稳压器二极管
• 74LVC2G241GT - 双路缓冲器/线路驱动器；3态
• NVT4556 - SIM card interface level translator with I2C-bus control and LDO
• PMDPB58UPE - 20 V双P沟道Trench MOSFET
• PSMN1R5-30YLC - N沟道30 V 1.55m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术
• NX3P191UK - 逻辑控制型高端电源开关
• 74ALVT162827DGG - 20位缓冲器/线路驱动器，非反相，具有30 Ohm端接电阻（3态）
• PEMH18 - NPN/NPN配电阻晶体管；R1 = 4.7 kΩ，R2 = 10 kΩ