74CBTLV1G125提供单个高速线路开关。输出使能(OE)输入为高电平时，该开关处于禁用状态。

为确保上电或掉电期间的高阻抗关断状态，通过上拉电阻将OE连接到VCC。驱动器灌入电流的能力确定电阻的最小值。

控制输入处的施密特触发器动作使该电路能容许整个2.3 V至3.6 V的VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 2.3 V至3.6 V的电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 两个端口之间的5 Ω开关连接
• 数据I/O端口上的轨到轨切换
• CMOS低功耗
• 闭锁性能满足JESD78 I类要求
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• BC55-16PA - 60 V，1 A NPN中等功率晶体管
• BUK764R2-80E - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• BLS6G2735LS-30 - S波段LDMOS晶体管
• BLF7G24L(S)-160P - 功率LDMOS晶体管
• 74LVT244BDB - 3.3 V八位元缓冲器/线路驱动器；3态
• BUK9Y7R2-60E - N沟道60 V，7.2 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56封装
• 74LVC2244APW - 八位元缓冲器/线路驱动器；30 Ω串联端接电阻；5 V容压输入/输出；3态
• PESD3V3S2UAT - 采用SOT23封装的双ESD保护二极管
• PMEG2015EA - 低VF (MEGA)肖特基势垒整流二极管
• 74HC109DB - 带设置和复位功能的双频JK触发器；正沿触发器