74AXP1G57是带施密特触发输入的可配置多功能门。该器件可配置为任何以下逻辑功能：AND、OR、NAND、NOR、XNOR、反相器和缓冲器。所有输入都可直接连接到VCC或GND。该器件可确保整个0.7 V至2.75 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。该器件完全针对使用IOFF的局部掉电应用而设计。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时潜在破坏性回流电流通过该器件。

• 0.7 V至2.75 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12A.01（宽范围：0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-12A.01（正常范围：1.1 V至1.3 V）
  • JESD8-11A.01（1.4 V至1.6 V）
  • JESD8-7A（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5A.01（2.3 V至2.7 V）
• ESD保护：
  • HBM ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 2类超过2 kV
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.6 μA（85 °C最大 ）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达2.75 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C

• PSMN2R7-30PL - N沟道30 V 2.7 m?逻辑电平MOSFET，采用TO-220封装
• PCA9539BS - 带有中断和复位的16位I2C总线和SMBus低功率I/O端口
• 74AHC244BQ - 八位元缓冲器/线路驱动器；3态
• PEMB20; PUMB20 - PNP/PNP配电阻晶体管；R1 = 2.2 kOhm，R2 = 2.2 kOhm
• BLF871 - 超高频LDMOS功率晶体管
• CLF1G0035S-100P - 宽带RF功率GaN HEMT
• PEMD10 - NPN/PNP配电阻晶体管；R1 = 2.2 kΩ，R2 = 47 kΩ
• 74LVC2G38GF - 双路2输入与非门；开漏
• PCA9510AD - 可热插拔的I2C总线和SMBus总线缓冲器
• NZX8V2D - 单倍齐纳二极管