74AXP1G09是带开漏输出的单路2输入与门。该器件的输出为开漏且可以连接到其它开漏输出，以实施低电平有效有线OR或高电平有效有线AND功能。

该器件可确保整个0.7 V至2.75 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。它完全针对使用IOFF的局部掉电应用而设计。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时潜在破坏性回流电流通过该器件。

• 0.7 V至2.75 V的宽电源电压范围
• 低输入电容；CI = 0.5 pF（典型值）
• 低输出电容；CO = 0.7 pF（典型值）
• 低动态功耗；CPD = 1.0 pF，VCC = 1.2 V（典型值）时
• 低静态功耗；ICC = 0.6 μA（85 °C最大 ）
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12A.01（1.1 V至1.3 V）
  • JESD8-11A.01（1.4 V至1.6 V）
  • JESD8-7A（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5A.01（2.3 V至2.7 V）
• ESD保护：
  • HBM ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 2类超过2 kV
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达2.75 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C

• 74AUP1G19GF - 低功耗2选1解码器/解复用器
• MF3ICDH2101DUD - MIFARE DESFire EV1非接触式多用途芯片
• HEF4017BT - 5级约翰逊十进制计数器
• BZX884-C10 - 稳压器二极管
• PDTC143ZT - NPN配电阻晶体管；R1 = 4.7 kΩ，R2 = 47 kΩ
• PMV37EN2 - 30 V，N沟道Trench MOSFET
• PDTA115EM - PNP配电阻晶体管；R1 = 100 kOhm，R2 = 100 kOhm
• BUK9575-55A - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• TFF11101HN - 适合VSAT应用的低相位噪声本振发生器
• PMEG1020EV - 超低VF MEGA肖特基势垒整流二极管