NX5P1100是一款适合于USB OTG应用的高级电源开关和ESD保护器件。它包括欠压和过压锁定、过流、过温、反向偏置和浪涌电流保护电路。这些电路用于在发生故障时将VBUS OTG电压源与VBUS接口引脚自动隔离。该器件具有两个电源开关端子，一个输入(VINT)和一个输出(VBUS)。它还具有一个用于定义过流和浪涌电流限制的限流输入(ILIM)。电压检测输出(VDET)用于确定VINT何时处于正确的电压范围内。开漏故障输出(FAULT)表示已发生故障，而使能输入(EN)控制开关的状态。EN设为低电平时，器件进入低功耗模式，此时禁用除欠压锁定电路之外的所有保护电路。只要未触发过温保护电路，即可随时进入低功耗模式。

其工作电压范围为3 V至5.5 V，用于电源域隔离应用中，以防止超范围工作。使能输入包括集成逻辑电平转换，使该设备兼容低电压处理器和控制器。

• 宽电源电压范围：3 V至5.5 V
• VBUS上的30 V容压
• ISW最大1?A持续电流
• 极低导通电阻：电源电压为4.0 V时为100 mΩ（最大值）
• 低功耗模式（接地电流为20 μA（典型值））
• 1.8 V控制逻辑
• 软启动导通压摆率
• 保护电路
  • 过温保护
  • 具有低电流输出模式的过流保护
  • 反向偏置电流/反向驱动保护
  • 过压锁定
  • 欠压锁定
  • 模拟电压受限VBUS监控路径
• ESD保护：
  • HBM ANSI/ESDA/JDEC JS-001 2类超过2 kV
  • CDM AEC标准Q100-011 C6类超过1 kV
  • IEC61000-4-2接触式放电超过8?kV（引脚VBUS、D-、D+和ID）
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C

• USB OTG应用

• BLL6H1214L(S)-250 - LDMOS L波段雷达功率晶体管
• PEMD16 - NPN/PNP配电阻晶体管；R1 = 22 k Ohm, R2 = 47 k Ohm
• PBSS4160PANPS - 60 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor
• PSMN1R0-40YLD - N沟道40 V 1.1 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56封装，使用NextPower-S3 Schottky-Plus技术
• BLS6G2933S-130 - LDMOS S频段雷达功率晶体管
• 74AUP2G06GN - 低功耗双路反相器，带开漏输出
• PBSS4520X - 20 V、5 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管
• BFU590G - NPN宽带硅RF晶体管
• 74HC00DB - 四路2输入与非门
• 74LVC1G11 - 单路3输入与门