
74AUP3G16GD技术文档下载:
74AUP3G16GD产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- BZX84-B10/LF1R - 二极管 - 齐纳 - 单
- BZX84J-C33,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- ASC8849AETK - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 应用特定微控制器
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- 74HC73PW,118 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 触发器
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- MCHC908QT2VDWE - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- PCA24S08D/DG,118 - 集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- BFG25A/X,215 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极射频晶体管
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74AUP3G16GD - Low-power triple buffer
74AUP3G16GD是NXP恩智浦公司的一款缓冲器/驱动器产品,74AUP3G16GD是Low-power triple buffer,本站介绍了74AUP3G16GD的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与74AUP3G16GD相关的NXP元器件型号供参考。
74AUP3G16GD - Low-power triple buffer - 缓冲器/驱动器 - 逻辑 - 恩智浦
产品描述
The 74AUP3G16 is a triple buffer.
Schmitt trigger action at all inputs makes the circuit tolerant of slower input rise andfall times.
This device ensures a very low static and dynamic power consumption across the entireVCC range from 0.8 V to 3.6 V.
This device is fully specified for partial Power-down applications using IOFF.The IOFF circuitry disables the output, preventing a damaging backflowcurrent through the device when it is powered down.
产品特性和优势
- Wide supply voltage range from 0.8 V to 3.6 V
- High noise immunity
- Complies with JEDEC standards:
- JESD8-12 (0.8 V to 1.3 V)
- JESD8-11 (0.9 V to 1.65 V)
- JESD8-7 (1.2 V to 1.95 V)
- JESD8-5 (1.8 V to 2.7 V)
- JESD8-B (2.7 V to 3.6 V)
- ESD protection:
- HBM JESD22-A114F Class 3A exceeds 5000 V
- MM JESD22-A115-A exceeds 200 V
- CDM JESD22-C101E exceeds 1000 V
- Low static power consumption; ICC = 0.9 μA (maximum)
- Latch-up performance exceeds 100 mA per JESD 78B Class II
- Inputs accept voltages up to 3.6 V
- Low noise overshoot and undershoot < 10 % of VCC
- IOFF circuitry provides partial Power-down mode operation
- Multiple package options
- Specified from -40 °C to +85 °C and -40 °C to +125 °C
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