74AUP3G07是带开漏输出的三路非反相缓冲器。该器件的输出为开漏且可以连接到其它开漏输出，以实施低电平有效有线OR或高电平有效有线AND功能。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止断电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78B II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PMEG4010EH_EJ_ET - 1 A极低VF MEGA肖特基势垒整流二极管
• BUK7Y12-55B - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• 74HCT153PW - 双路4输入多路复用器
• 74HCT00PW - 四路2输入与非门
• BUK7Y22-100E - N沟道100 V，22 mΩ标准电平MOSFET，采用LFPAK56封装
• BFU530W - NPN宽带硅RF晶体管
• 74ALVT16244 - 2.5 V / 3.3 V 16位缓冲器/驱动器（3态）
• TEA1731TS - 低压启动的在定频/CCM下工作的反激控制器
• PEMD20 - NPN/PNP配电阻晶体管；R1 = 2.2 kOhm，R2 = 2.2 kOhm
• MFRC53001T - 标准MIFARE读卡器解决方案