74LVC3G17提供三个带施密特触发器输入的非反相缓冲器。该器件能够将缓慢变化的输入信号转换成清晰无抖动的输出信号。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中将74LVC3G17用作转换器。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输入/输出，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 适用于高噪声环境的波形和脉冲整形器

• 74LVC2G74GD - 带设置和复位功能的单频D型触发器；正沿触发器
• MMBZ27VCL - 用于瞬态过压抑制的双ESD保护二极管
• PSMN0R7-25YLD - N-channel 25 V, 0.7 mΩ logic level MOSFET in LFPAK56 using NextPowerS3 Technology
• 74VHC14PW - 十六进制反相施密特触发器
• BSP51 - NPN达林顿晶体管
• BC860BW - PNP通用晶体管
• 74HCT4002DB - 双路4输入或非门
• 74ALVC02 - 四路2输入或非门
• 74AUP2G02GF - 低功耗双路2输入或非门
• PMEG4010EP - 1 A低V_F MEGA肖特基势垒整流二极管