74LVC3G17提供三个带施密特触发器输入的非反相缓冲器。该器件能够将缓慢变化的输入信号转换成清晰无抖动的输出信号。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中将74LVC3G17用作转换器。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输入/输出，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 适用于高噪声环境的波形和脉冲整形器

• PDTA143Z series - PNP配电阻晶体管；R1 = 4.7 kΩ，R2 = 47 kΩ
• BUK7606-55B - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• PMEG6010ESB - 60 V, 1 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier
• XC7SET14GV - 反相施密特触发器
• 74HC174D - 带复位功能的六频D型触发器；正沿触发器
• 74AHC273BQ - 带复位功能的八频D型触发器；正沿触发器
• IP4369CX4 - 用于高速接口的ESD保护
• SC26C92 - 双通道通用异步接收器/发送器(DUART)
• BCP68-25 - 20 V，2 A NPN中等功率晶体管
• PSMN4R0-25YLC - N沟道25 V 4.5 m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装