74AUP2G86提供双路2输入异或功能。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• BLF6G15L(S)-40RN - 功率LDMOS晶体管
• NT2H1611G0DUD - NFC Forum类型2标签兼容型IC，集成888字节用户存储器
• CLF1G0035(S)-100P - 宽带RF功率GaN HEMT
• 1PS88SB48 - 通用肖特基二极管
• 74ABT245PW - 八进制收发器，具有方向针脚（3态）
• NZX8V2B - 单倍齐纳二极管
• PBSS5130QA - 30 V，1 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• BUK9107-55ATE - N沟道TrenchPLUS逻辑电平FET
• 74HCT193PW - 可预置同步4位二进制上行/下行计数器
• NX3DV3899 - 双双刀双掷模拟开关