74AUP2G3404是单路缓冲器和单路反相器。

所有输入的施密特触发器动作使电路在0.8 V至3.6 V的整个VCC范围内容许较缓慢的输入上升时间和下降时间。

该器件可确保在0.8 V至3.6 V的整个VCC范围内具有极低的静态和动态功耗。

该器件完全指定用于使用IOFF的部分掉电应用。IOFF电路可禁用输出，从而防止掉电时电流回流对器件造成的损坏。

• 宽电源电压范围（0.8 V至3.6 V）
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大值）
• 根据JESD 78 II类，锁存性能超过100 mA
• 输入接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲< VCC的10 %
• IOFF电路提供部分掉电模式操作
• 多个封装选项
• 指定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• BZT52H - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
• 74LVC1G66GW - 双向开关
• PCF8594C-2T - 带有I2C总线接口的512 x 8位CMOS EEPROM
• 74HC4016D - 四路双向开关
• MFRC52302HN1 - 标准3V ISO/IEC 14443 A/B读卡器解决方案
• 74AHCT164PW - 8位串行输入/并行输出移位寄存器
• HEF4543B - BCD至7段锁存器/解码器/驱动器
• PSMN5R6-60YL - N-channel 60 V, 5.6 mΩ logic level MOSFET in LFPAK56
• BFU550W - NPN宽带硅RF晶体管
• PMEG4005EJ - 0.5 A极低VF MEGA肖特基势垒整流二极管