74AUP2G3404是单路缓冲器和单路反相器。

所有输入的施密特触发器动作使电路在0.8 V至3.6 V的整个VCC范围内容许较缓慢的输入上升时间和下降时间。

该器件可确保在0.8 V至3.6 V的整个VCC范围内具有极低的静态和动态功耗。

该器件完全指定用于使用IOFF的部分掉电应用。IOFF电路可禁用输出，从而防止掉电时电流回流对器件造成的损坏。

• 宽电源电压范围（0.8 V至3.6 V）
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大值）
• 根据JESD 78 II类，锁存性能超过100 mA
• 输入接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲< VCC的10 %
• IOFF电路提供部分掉电模式操作
• 多个封装选项
• 指定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• BZB84-C27 - 双倍齐纳二极管
• PDTC114TU - NPN配电阻晶体管；R1 = 10 kOhm，R2 = 开路
• PMEGxx05ET series - 0.5 A极低VF MEGA肖特基势垒整流二极管，采用SOT23封装
• NZX3V9C - 单倍齐纳二极管
• PSMN7R0-100BS - N沟道100 V 6.8 m?标准电平MOSFET，采用D2PAK封装。
• A7005CAHN1 - 安全验证微控制器
• PSMN022-30PL - N沟道30 V 22 m?逻辑电平MOSFET
• PSMN102-200Y - N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET
• NPIC6C595 - 功率逻辑8位移位寄存器；开漏输出
• PESD5V0V4UW - 极低电容单向四倍ESD保护二极管阵列