74AUP1G158是单路2输入多路复用器，其在公共数据选择输入(S)的控制下从两个数据输入（I0和I1）选择数据。一般数据选择输入的状态可确定数据来自哪个特定的寄存器。输出(Y)以补充（反相）形式呈现所选数据。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• NX7002BKS - 60 V, dual N-channel Trench MOSFET
• BZX84-A8V2 - 稳压器二极管
• BLL6G1214L(S)-250 - LDMOS L波段雷达功率晶体管
• PCA9519BS - 4通道电平变换I&#178；C总线/SMBus转发器
• MF1SPLUS8001DA4 - 适用于快速简单的解决方案开发的主流非接触式智能卡IC
• 74HC163DB - 可预设同步4位二进制计数器；同步复位
• PBSS4560PA - 60 V，6 A NPN低V_CEsat (BISS)晶体管
• PHB66NQ03LT - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• PBRP123ET - PNP 800 mA，40 V BISS RETs；R1 = 2.2 kOhm，R2 = 2.2 kOhm
• PTVS60VS1UTR - 高温400 W瞬态电压抑制器