74AUP2G241提供带3态输出的双路非反相缓冲器/线路驱动器。3态输出通过输出使能输入1OE和2OE控制。针脚1OE处的高电平使输出1Y呈高阻抗关断状态。针脚2OE处的低电平使输出2Y呈高阻抗关断状态。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

该器件具有输入禁用功能，它允许浮动输入信号。输出使能输入OE为高电平时，输入1A处于禁用状态。输出使能输入2OE为高电平时，输入2A处于禁用状态。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• 输入禁用特性允许浮空输入条件
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C

• PESD5V0S1UA; PESD12VS1UA - 用于瞬态电压抑制的单向ESD保护
• PSMN015-100YL - N-channel 100 V, 15 mΩ logic level MOSFET in LFPAK56
• 74HCT112D - 带设置和复位功能的双频JK触发器；负沿触发器
• PESD5V0U5BV - 超低电容双向五倍ESD保护阵列
• PMEGxx05EH/EJ series - 0.5 A极低VF MEGA肖特基势垒整流二极管
• BUK661R6-30C - N沟道TrenchMOS中间电平FET
• TFF11101HN - 适合VSAT应用的低相位噪声本振发生器
• MF1PLUS8001DUD - 适用于快速简单的解决方案开发的主流非接触式智能卡IC
• 74LVC3G34 - 三路缓冲器
• PHK31NQ03LT - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET