74AUP2G17提供两个施密特触发缓冲器。该器件能够将缓慢变化的输入信号转换成清晰无抖动的输出信号。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

输入针对正和负向信号在不同点进行切换。正电压VT+和负电压VT-之差定义为输入迟滞电压VH.

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• BLF7G15LS-200 - 功率LDMOS晶体管
• BFU530X - NPN宽带硅RF晶体管
• SC16C852SVIET - 1.8 V的双通道UART，20 Mbit/s（最快），带有128字节FIFO、红外(IrDA)以及XScale VLIO总线接口
• 74AHC30GU12 - 8-input NAND gate
• PZU3.6B - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• 74LVC1G384GN - 双向开关
• 74AHCT1G125GF - 总线缓冲器/线路驱动器；3态
• PHPT610035PK - PNP/PNP matched high power double bipolar transistor
• BGA7130 - 400 MHz至2700 MHz 1 W高线性度硅放大器
• BZA456A - 四倍ESD瞬态电压抑制器