
BFU530X技术文档下载:
BFU530X产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- MCIMX7D2DVM12SC - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- TJA1028TK/3V3/10:1 - 集成电路(IC) > 接口 > 驱动器,接收器,收发器
- 74HCT4538PW,112 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 多谐振荡器
- 74HC11N,652 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 门和反相器
- S32M276CHABMKHSR - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- KMC68360VR33L - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- UJA1079ATW/3V3,118 - 集成电路(IC) > 接口 > 专用
- MMPF0100F1AEPR2 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 特殊用途稳压器
- 74LV595D/AUJ - 集成电路(IC) > 逻辑 > 移位寄存器



BFU530X - NPN宽带硅RF晶体管
BFU530X是NXP恩智浦公司的一款LNA、混频器、倍频器、缓冲器产品,BFU530X是NPN宽带硅RF晶体管,本站介绍了BFU530X的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BFU530X相关的NXP元器件型号供参考。
BFU530X - NPN宽带硅RF晶体管 - LNA、混频器、倍频器、缓冲器 - RF双极性晶体管 - 恩智浦
产品描述
NPN硅RF晶体管可用于高速、低噪声应用,采用塑料4针脚双射极SOT143B封装。
BFU530X属于BFU5系列晶体管,适合小信号到高达2 GHz的中等功率应用。
产品特性和优势
- 低噪音、高击穿RF晶体管
- 符合AEC-Q101标准
- 900 MHz时最低噪声系数(NFmin) = 0.7 dB
- 900 MHz时最大稳定增益22 dB
- 11 GHz fT硅技术
产品应用
- 要求高电源电压和高击穿电压的应用
- 高达2 GHz的宽带放大器
- 针对ISM应用的低噪声放大器
- ISM频段振荡器
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