74AUP2G157是单路2输入多路复用器，其在公共数据选择输入(S)的控制下从两个数据输入（I0和I1）选择数据。一般数据选择输入的状态可确定数据来自哪个特定的寄存器。输出（Y，Y）以真正（非反相）和补充形式呈现所选数据。使能输入(E)为低电平有效。E为高电平时，无论所有其他输入条件如何，输出Y被强制为低电平且输出Y被强制为高电平。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。该器件可确保整个0.8 V至3.6 V CC范围内极低的静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 74HC21PW - 双路4输入与门
• 74LVTH16244BDL - 3.3 V 16位缓冲器/驱动器；3态
• PDTA114Y series - PNP配电阻晶体管；R1 = 10 kΩ，R2 = 47 kΩ
• PTVS5V0P1UP - 600 W瞬态电压抑制器
• PZU27B - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• BUK7E1R9-40E - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• HEF4046B - 锁相环
• BZB84-B15 - 双倍齐纳二极管
• PZU20B2 - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• 74ABT74D - 双频D型触发器