74AUP2G14提供两个带施密特触发动作的反相缓冲器，其接受标准输入信号。该类器件能将缓慢变化的输入信号转换成清晰无抖动的输出信号。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

输入针对正向和负向信号在不同点进行切换。 正电压VT+和负电压VT-之差定义为输入迟滞电压VH.

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 波形和脉冲整形器
• 无稳态多谐振荡器
• 单稳态多谐振荡器

• PESD1LVDS - 用于车载超高速接口的ESD保护
• PHPT60406NY - 40 V、6A NPN高功率双极性晶体管
• PUMB4 - PNP/PNP配电阻晶体管；R1 = 10 kOhm，R2 = 开路
• PCAL9554CPW - 带有中断、弱上拉和灵活I/O的低电压8位I2C总线/SMBus低功率I/O端口
• BSR30 - 60 V，1 A PNP中等功率晶体管
• 74LVC1G00GW - 单路2输入与非门
• BLM7G1822S-40AB - LDMOS 2-stage power MMIC
• BUK6217-55C - N沟道TrenchMOS中间电平FET
• BAT54CV - 两个双倍肖特基势垒二极管
• BLF2425M6LS180P - 功率LDMOS晶体管