74AUP2G14提供两个带施密特触发动作的反相缓冲器，其接受标准输入信号。该类器件能将缓慢变化的输入信号转换成清晰无抖动的输出信号。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

输入针对正向和负向信号在不同点进行切换。 正电压VT+和负电压VT-之差定义为输入迟滞电压VH.

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 波形和脉冲整形器
• 无稳态多谐振荡器
• 单稳态多谐振荡器

• PZU2.7BA - 单倍齐纳二极管
• 74AUP2G38 - 低功耗双路2输入与非门；开漏
• BZX884-B3V9 - 稳压器二极管
• BUK765R2-40B - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• BZX884-B68 - 稳压器二极管
• PDTA124TMB - PNP配电阻晶体管；R1 = 22 kΩ，R2 = 开路
• P5CC072EV0 - 安全三接口、双接口和接触式PKI智能卡控制器
• HEF4016B - 四路双向开关
• BUK625R0-40C - N沟道TrenchMOS中间电平FET
• PZU33BL - 单倍齐纳二极管