74AUP2G14提供两个带施密特触发动作的反相缓冲器，其接受标准输入信号。该类器件能将缓慢变化的输入信号转换成清晰无抖动的输出信号。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

输入针对正向和负向信号在不同点进行切换。 正电压VT+和负电压VT-之差定义为输入迟滞电压VH.

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 波形和脉冲整形器
• 无稳态多谐振荡器
• 单稳态多谐振荡器

• 74LVC2244A - 八位元缓冲器/线路驱动器；30 Ω串联端接电阻；5 V容压输入/输出；3态
• 74LVCH16541A - 16位缓冲器/线路驱动器；3态
• 74HCT573BQ - 八进制D型透明锁存器；3态
• BZX100A - 单倍齐纳二极管
• PTVS5V0P1UP - 600 W瞬态电压抑制器
• CBT3257APW - 四路2选1多路复用器/解复用器
• NZX10D - 单倍齐纳二极管
• BZX84J-B5V1 - 单倍齐纳二极管
• BUK7Y18-75B - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• PHPT60415PY - 40 V, 15 A PNP high power bipolar transistor