74AUP2G125提供带3态输出的双路非反相缓冲器/线路驱动器。3态输出通过输出使能输入(nOE)控制。针脚nOE处的高电平使输出呈高阻抗关断状态。该器件具有输入禁用功能，它允许浮动输入信号。输出使能输入nOE为高电平时，输入处于禁用状态。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。该器件可确保整个0.8 V至3.6 V CC范围内极低的静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD78B II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• 输入禁用特性允许浮空输入条件
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C

• PBSS4032ND - 30 V，3.5 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管
• PCA9515D - I2C总线转发器
• 74AUP1G374GM - 低功耗D型触发器；正沿触发器（三态）
• PESD5V0X1BCSF - 超低电容双向ESD保护二极管
• TEA1738LT - 低压启动的在定频/CCM下工作的反激控制器
• BZV90-C2V7 - 稳压器二极管
• BF908R - N沟道双栅极MOSFET
• PMZ350UPE - 20 V，P沟道Trench MOSFET
• 74ALVCH162601DGG - 带30 Ohm终端电阻的18位通用总线收发器（三态）
• TDZ30J - 单倍齐纳二极管