74AUP2G04提供两个反相缓冲器。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪音过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• BUK7275-100A - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• PSMN3R3-80ES - N沟道80 V，3.3 m?标准电平MOSFET，采用I2PAK封装
• BGU7060 - Analog high linearity low noise variable gain amplifier
• 74ALVC16245DL - 16位收发器，具有方向针脚；3态
• PMBF4391 - N沟道FET
• 74LVC273 - 带复位功能的八频D型触发器；正沿触发器
• 74ABT04PW - 六位元进制反相器
• PSMN2R9-25YLC - N沟道25 V 3.15 m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术
• PCF85263AT - Tiny Real-Time Clock/calendar with alarm function, battery switch-over, time stamp input, and I2C-bus
• 74HC(T)4052 - 双路4通道模拟多路复用器/解复用器