74AUP2G00提供双路2输入与非功能。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止断电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C

• PESD1LIN - LIN总线ESD保护二极管
• BC53PA - 80 V，1 A PNP中等功率晶体管
• PBSS4360Z - 60 V、3 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管
• 74AUP3G3404GT - 低功耗双路缓冲器和单路反相器
• PTVS51VS1UTR - 高温400 W瞬态电压抑制器
• PHPT61006NY - 100 V、6A NPN高功率双极性晶体管
• PESDxL1BA series - 采用SOD323封装的低电容双向ESD保护二极管
• PSMN1R0-30YLD - N沟道30 V，1.0 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56封装，使用NextPowerS3技术
• PUMB14 - PNP/PNP配电阻晶体管；R1 = 47 kOhm，R2 = 开路
• BLF8G20LS-220 - 功率LDMOS晶体管