74CBTLV3126提供具有单独输出使能输入（1OE 至4OE）的4位高速总线开关。开关的低通态电阻允许以最小传播延迟进行连接。输出使能(nOE)输入为低电平时，开关禁用（高阻抗关断状态）。

为确保上电或掉电期间的高阻抗关断状态，nOE应该通过下拉电阻连接到GND。电阻的最低值由驱动器的电流吸收能力决定。

施密特触发器在控制输入处工作，这使得电路在从2.3 V至3.6 V的整个VCC范围内容许较慢输入上升和下降时间。

该器件完全适用于部分使用IOFF的断电应用。IOFF电路禁用输出，从而防止断电时经过该设备的破坏性回流电流。

• 电源电压范围从2.3 V至3.6 V
• 标准“126”型引脚排列
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM AEC-Q100-011修订版B超过1000 V
• 两个端口之间的5Ω开关连接
• 数据I/O端口上的轨到轨切换
• 低功耗CMOS
• 闭锁性能超过JESD78B I类A级规定的250 mA
• IOFF电路提供部分断电模式操作
• 多种封装选项
• 额定温度范围为40 ℃至+85 ℃和40 ℃至+125 ℃

• PCF8523 - 实时时钟(RTC)和日历
• 74HCT139D - 双路2至4线路解码器/解复用器
• 74HCT4538PW - 双可再触发精密单稳态多谐振荡器
• NX5P3001UK - 用于充电器和USB-OTG组合应用的双向高端电源开关
• PMPB85ENEA - 60 V，单N沟道Trench MOSFET
• PHP191NQ06LT - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• NVT2006BQ - 适用于开漏和推挽应用的双向电压电平变换器
• 74LVC1G16GN - Single buffer
• 74HCT4052D - 双路4通道模拟多路复用器/解复用器
• BZX384-C62 - 稳压器二极管