74AUP1Z125结合了74AUP1GU04和74AUP1G125的功能以及使能电路和内部偏置电阻，提供最适合晶体振荡器应用的器件。

不使用时，可将EN输入驱动为高电平，从而拉高X1输入并将该器件置于低功耗禁用模式。EN输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC 范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件完全针对在输出Y处使用IOFF的局部掉电应用设计。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

74AUP1Z125因集成了这两个器件而在各种频率和温度范围内形成尺寸紧凑、功耗低和操作稳定的优势。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD78B II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路在输出Y处提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• BUK7610-100B - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• 74AHCT1G08GW - 2输入与门
• PML340SN - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• 74AHCT1G14GW - 反相施密特触发器
• 74HC4066PW - 四路单刀单掷模拟开关
• PCA9501D - 带有中断、2-kbit EEPROM和6个地址引脚的8位I2C总线和SMBus I/O端口
• PESD12VS1UL - 单向ESD保护二极管
• BUK9219-55A - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• SC16C2550BIB48 - 5 V、3.3 V和2.5 V的双通道UART，5 Mbit/s（最快），带有16字节FIFO
• 74HC21D - 双路4输入与门