74AUP1G373提供带3态输出的单路D型透明锁存器。锁存使能(LE)输入为高电平时，Q输出跟随数据(D)输入。针脚LE为低电平时，锁存器存储针脚LE从高电平跃迁至低电平前的一个设置时间在D输入处出现的信息。针脚OE为低电平时，锁存器的内容可在输出处获取。针脚OE为高电平时，输出转为高阻抗关断状态。输入针脚OE的操作不会影响锁存器的状态。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101-E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• BZX84-B5V1 - 稳压器二极管
• A710x family - 安全验证微控制器
• 2N7002BKS - 60 V，300 mA双N沟道Trench MOSFET
• PBSS8110Y - 100 V、1 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管
• 74LVC2G38 - 双路2输入与非门；开漏
• 74AHC377PW - 带数据使能的八频D型触发器；正沿触发器
• BZV55-C5V1 - 稳压器二极管
• BZV55-B8V2 - 稳压器二极管
• BUK768R3-60E - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• PCF8533U - 低复用率通用LCD驱动器