74AUP1T97提供低功耗、低电压的可配置逻辑门功能。输出状态由3位输入的八种模式确定。用户可以选择逻辑功能MUX、AND、OR、NAND、NOR、反相器和缓冲器。所有输入都可连接到VCC或GND。

该器件可确保整个2.3 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

74AUP1T97针对逻辑电平转换应用设计，具有可接受1.8 V低压CMOS信号的输入切换电平，采用2.5 V或3.3 V单电源电压。

电池电压从3.6 V降至2.3 V时，宽电源电压范围可确保正常运行。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

施密特触发器输入使电路容许整个VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

• 2.3 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 1.5 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PZU3.6DB2 - 双倍齐纳二极管
• 74LVC1G34GX - 单路缓冲器
• P5DF081HN - MIFARE SAM AV2或AV2.6，HVQFN32封装
• PBSS303NZ - 30 V、5.5 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管
• PHB32N06LT - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• SC16C850 - 2.5 V至3.3 V的UART，5 Mbit/s（最快），带有128字节FIFO、红外(IrDA)以及16模式或68模式并行总线接口
• BZB984-C9V1 - 双倍稳压器二极管
• PMBF4392 - N沟道FET
• 74HCT1G14GW - 反相施密特触发器
• BZB100A - 双向齐纳二极管