74AUP1G885在单一器件内提供两种函数。输出（1Y、2Y）的输出状态由输入（A、B和C）确定。输出1Y提供布尔函数： 1Y = A × C。输出2Y提供布尔函数：2Y = A × B + A × C。

所有输入的施密特触发器动作使电路在0.8 V至3.6 V的整个VCC范围内容许较缓慢的输入上升时间和下降时间。

该器件可确保在0.8 V至3.6 V的整个VCC范围内具有极低的静态和动态功耗。

该器件完全指定用于使用IOFF的部分掉电应用。IOFF电路可禁用输出，从而防止掉电时电流回流对器件造成的损坏。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大值）
• 根据JESD78 II类，锁存性能超过100 mA
• 输入接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲<VCC的10 %
• IOFF电路提供部分掉电模式操作
• 多个封装选项
• 指定温度范围为40 ℃至+85 ℃和40 ℃至+125 ℃

• 74AHCT1G14GV - 反相施密特触发器
• 74LVC3G34DP - 三路缓冲器
• 2PD601BSL - 50 V，200 mA NPN通用晶体管
• BUK754R0-55B - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• 74HC4020D - 14级二进制纹波计数器
• PMZB550UNE - 30 V, N-channel Trench MOSFET
• 74LVC374ADB - 带5 V容压输入/输出的八频D型触发器；正沿触发器（三态）
• 74LVCH162374A - 16位边沿触发的D型触发器，带30 Ω串联端接电阻；5 V容限输入/输出；3态
• 74AUP2G04GW - 低功耗双路反相器
• SL3S1202FTB1 - UCODE G2XM和G2XL