74AUP1G86提供单路2输入异或功能。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C

• 74AUP1G34GM - 低功耗缓冲器
• 74LVC1G08GN - 单路2输入与门
• PCA9545A/45B/45C - 4-channel I2C-bus switch with interrupt logic and reset
• PMEG3005EH - 0.5 A极低VF MEGA肖特基势垒整流二极管
• P5DF072 - MIFARE安全访问模块SAM AV1 (RC52x)
• 74ALVCH16543DGG - 16位D型寄存收发器（三态）
• 74VHC244PW - 八位元缓冲器/线路驱动器；3态
• PSMN9R1-30YL - N沟道9.1 m? 30 V TrenchMOS逻辑电平FET，采用LFPAK封装
• 74LVCH2T45GS - 双电源转换收发器；3态
• MF3ICDH4101DUD - MIFARE DESFire EV1非接触式多用途芯片