74AUP1G80提供单路正沿触发D类触发器。在时钟脉冲从低到高转换时，数据输入处的信息会被传输到Q输出。在时钟从低到高转换前的某个建立时间，输入D输入必须保持稳定，以进行可预测操作。

所有输入的施密特触发器动作使电路在0.8 V至3.6 V的整个VCC范围内容许较缓慢的输入上升时间和下降时间。

该器件可确保在0.8 V至3.6 V的整个VCC范围内具有极低的静态和动态功耗。

该器件完全指定用于使用IOFF的部分掉电应用。IOFF电路可禁用输出，从而防止掉电时电流回流对器件造成的损坏。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大值）
• 根据JESD 78 II类，锁存性能超过100 mA
• 输入接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲<VCC的10 %
• IOFF电路提供部分掉电模式操作
• 多个封装选项
• 指定温度范围为40 ℃至+85 ℃和40 ℃至+125 ℃

• 74AUP1G0832 - 低功耗3输入与或门
• BUK762R4-60E - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• BC53PAS - 45 V/60 V/80 V, 1 A PNP medium power transistors
• HEF4013BT - 双路D型触发器
• 74LVCH8T245PW - 8位双电源转换收发器；3态
• PMBT3906MB - 40 V，200 mA PNP开关晶体管
• CBTW28DD14ET - 适合DDR2/DDR3/DDR4应用的14位总线开关/多路复用器
• PTVS40VS1UR - 400 W瞬态电压抑制器
• PHPT61010PY - 100 V, 10 A PNP high power bipolar transistor
• PSMN4R3-30PL - N沟道30 V 4.3 m?逻辑电平MOSFET