74AUP1G80提供单路正沿触发D类触发器。在时钟脉冲从低到高转换时，数据输入处的信息会被传输到Q输出。在时钟从低到高转换前的某个建立时间，输入D输入必须保持稳定，以进行可预测操作。

所有输入的施密特触发器动作使电路在0.8 V至3.6 V的整个VCC范围内容许较缓慢的输入上升时间和下降时间。

该器件可确保在0.8 V至3.6 V的整个VCC范围内具有极低的静态和动态功耗。

该器件完全指定用于使用IOFF的部分掉电应用。IOFF电路可禁用输出，从而防止掉电时电流回流对器件造成的损坏。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大值）
• 根据JESD 78 II类，锁存性能超过100 mA
• 输入接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲<VCC的10 %
• IOFF电路提供部分掉电模式操作
• 多个封装选项
• 指定温度范围为40 ℃至+85 ℃和40 ℃至+125 ℃

• BUK664R8-75C - N沟道TrenchMOS FET
• PBSS5160PAP - 60 V，1 A PNP/PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• PEMH7; PUMH7 - NPN/NPN配电阻晶体管；R1 = 4.7 kOhm，R2 = 开路
• BZX84-B75 - 稳压器二极管
• P5CD040A4 - 安全双接口和接触式PKI智能卡控制器
• BAW56S - 高速开关二极管
• BUK9Y15-60E - N-channel 60 V, 15 mΩ logic level MOSFET in LFPAK56
• BAP51-02 - 通用PIN二极管
• BLC9G27LS-150AV - LDMOS功率晶体管
• BLF988 - 功率LDMOS晶体管