74AUP1G79提供单路正沿触发D类触发器。数据输入处的信息会在时钟脉冲从低到高转换时被传输到Q输出。在时钟从低到高转换前的某个建立时间，D输入必须保持稳定，以进行可预测操作。

所有输入的施密特触发器动作使电路在0.8 V至3.6 V的整个VCC范围内容许较缓慢的输入上升时间和下降时间。

该器件可确保在0.8 V至3.6 V的整个VCC范围内具有极低的静态和动态功耗。

该器件完全指定用于使用IOFF的部分掉电应用。IOFF电路可禁用输出，从而防止掉电时电流回流对器件造成的损坏。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101-E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大值）
• 根据JESD 78 II类，锁存性能超过100 mA
• 输入接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲<VCC的10 %
• IOFF电路提供部分掉电模式操作
• 多个封装选项
• 指定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• SA630D - 单刀双掷(SPDT)开关
• 74AHC123APW - 双可再触发单稳态多谐振荡器，带重置
• PSMN3R8-100BS - N沟道100 V 3.9 mΩ标准电平MOSFET，采用D2PAK封装
• 74LVC(H)16373A - 16位D型透明锁存器，具有5 V容压输入/输出；3态
• NX3L4053PW - 三低电阻单极双掷模拟开关
• BLF7G27LS-90P - 功率LDMOS晶体管
• 74AHCT1G04GW - 反相器
• RB751S40 - 单倍肖特基势垒二极管
• 74AUP3G3404GS - 低功耗双路缓冲器和单路反相器
• 74HC273DB - 带复位功能的八频D型触发器；正沿触发器