PCF85103C-2是一款浮动门控电可擦可编程只读存储器(EEPROM)，具备2 kbits（256 x 8位）非易失性存储器。通过使用内部冗余存储代码，对单个位元错误有容错功能。相比传统的EEPROM，此功能显著提升了可靠性。由于使用全CMOS技术，所以功耗很低。使用电压倍增器片上生成编程电压。

通过串行I2C总线接收和发送数据字节。可将最多八个PCF85103C-2器件连接至I2C总线。通过三个地址输入（A0、A1和A2）完成芯片选择。

除固定I2C地址（允许在同一I2C总线上存在最多八个PCF85102C-2和八个PCF85103C-2）外，PCF85103C-2与PCF85102C-2完全相同。

• 低功率CMOS：
  • 2.0 mA最大工作电流
  • 最大待机电流为10 uA（6.0 V时），典型为4 uA
• 组织为256 x 8位的2 kbits非易失性存储器
• 单电源，满负载工作低至2.5 V
• 片上电压倍增器
• 串行输入/输出I2C总线
• 写入操作：
  • 字节写入模式
  • 8字节页面写入模式（每个字节的总写入时间最小化）
• 读取操作：
  • 连续读取
  • 随机读取
• 用于写入的内部定时器（无外部组件）
• 内部上电复位
• 0 kHz至100 kHz时钟频率
• 通过使用冗余存储代码实现高可靠性
• 承受：Tamb = 22 Cel时为1,000,000个擦除/写入(E/W)周期
• 10年非易失性数据保留时间
• 引脚兼容：PCF8570、PCF8571、PCF8572、PCA8581、PCF8582和PCF85102
• ESD保护：按JESD22-A114超过2000 V HBM，按JESD22-A115超过150 V MM，按JESD22-C101超过1000 V CDM
• 已按照JEDEC标准JESD78完成闭锁测试，超过100 mA
• 提供DIP8和SO8封装。

• BAS40-07 - 通用肖特基二极管
• BUK7507-55B - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• BFS19 - NPN中频晶体管
• 74HC166D - 8位串行输入/并行输出移位寄存器
• BZV90-C30 - 稳压器二极管
• 74HCT151D - 8输入多路复用器
• PESD5V0L2UMB - 低电容单向双ESD保护阵列
• 74LV14DB - 十六进制反相施密特触发器
• PBSS4041NZ - 60 V，7 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管
• PUMB19 - PNP/PNP配电阻晶体管；R1 = 22 kOhm，R2 = 开路