74LVC1G66是低功耗、低电压硅栅CMOS器件。

74LVC1G66提供一个单刀单掷模拟开关功能。该开关具有两个输入/输出终端（Y和Z）以及一个有源高电平使能输入引脚（E）。E为低电平时，模拟开关会被关断。

使能输入的施密特触发器动作使电路在1.65 V至5.5 V的整个VCC范围内容许较缓慢的输入上升时间和下降时间。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 极低导通电阻：
  • 7.5 Ω（典型值）（VCC = 2.7 V时）
  • 6.5 Ω（典型值）（VCC = 3.3 V时）
  • 6 Ω（典型值）（VCC = 5 V时）
• 32 mA的开关电流能力
• 高抗噪性
• CMOS低功耗
• 3.3 V时的TTL接口兼容性
• 锁存性能满足JESD78 I类的要求
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114E超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 使能输入可接受最高达5.5 V的电压
• 多个封装选项
• 指定温度范围为-40 °C至+85 °C以及-40 °C至+125 °C

• 74HC74PW - 带设置和复位功能的八频D型触发器；正沿触发器
• BFR30 - N沟道FET
• PCA8537 - 复用率最高为1:8的汽车级LCD驱动器
• PSMN5R2-60YL - N-channel 60 V, 5.2 mΩ logic level MOSFET in LFPAK56
• PMST6428; PMST6429 - NPN通用晶体管
• 74LVC2G38GF - 双路2输入与非门；开漏
• 74LVT(H)16244B - 3.3 V 16位缓冲器/驱动器；3态
• 74AUP2G3407GW - 低功耗单路缓冲器；单路缓冲器，带开漏
• CBT3257A - 四路2选1多路复用器/解复用器
• PUSB3AB6 - 用于超高速接口的ESD保护