74AUP1G3208提供布尔函数：Y = (A + B) x C。用户可以选择逻辑功能OR、AND和OR-AND。所有输入都可连接到VCC或GND。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10%
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 74HC273D - 带复位功能的八频D型触发器；正沿触发器
• 74HCT138PW - 3至8线路解码器、解复用器；反相
• 74LVTH16245BBX - 3.3 V 16位收发器；3态
• 74HC2G04GW - 双路反相器
• PMEG3020BEP - 2A低Vf MEGA肖特基势垒整流二极管
• CBT3257AD - 四路2选1多路复用器/解复用器
• BLS8G2731L(S)-400P - LDMOS S-band radar power transistor
• BLF8G20LS-140GV - Power LDMOS transistor
• BUK7Y14-80E - N沟道80 V，14 mΩ标准电平MOSFET，采用LFPAK56封装
• 74HCT3G04GD - 反相器