74AUP1G3208提供布尔函数：Y = (A + B) x C。用户可以选择逻辑功能OR、AND和OR-AND。所有输入都可连接到VCC或GND。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10%
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• BZX384-B3V6 - 稳压器二极管
• PEMD48; PUMD48 - NPN/PNP配电阻晶体管；R1 = 47 kΩ，R2 = 47 kΩ和R1 = 2.2 kΩ，R2 = 47 kΩ
• 74AUP2G57GU - 低功耗双PCB可配置多功能门
• BZX585-B3V9 - 稳压器二极管
• PMBT4403YS - 40V, 600 mA double PNP switching transistor
• PMPB20EN - 30 V N沟道Trench MOSFET
• BUK7E5R2-100E - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• PZU4.7B1 - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• PDTA124TM - PNP配电阻晶体管；R1 = 22 kOhm，R2 = 开路
• 74LVC10APW - 三路3输入与非门