74ALVCH32973是16位总线收发器和D型透明锁存器，具有8个带总线保持输入和3态输出的独立缓冲器。其具有方向（1DIR，2DIR）输入、锁存使能（1LOE，2LOE）输入、收发器输出使能（1TOE，2TOE）输入和锁存使能（1LE，2LE）控制输入；四个8位收发器端口（1An，2An和1Bn，2Bn）；两个8位D型锁存输出端口（1Qn，2Qn）和一个带数据输入Dn和输出Yn的8位缓冲器。控制针脚的配置允许该器件用作一个8位缓冲器、两个8位收发器和两个8位锁存器或一个8位缓冲器、一个16位收发器和一个16位锁存器。

8位缓冲器工作时独立于控制输入。A和B之间的数据传输方向由nDIR控制，当nTOE置于高电平时，A和B端口将呈高阻抗关断状态，因此能得到有效隔离。nLE为高电平时，A输入处的数据会输入锁存器。在这种情况下，锁存器是穿透的，每当与Q输出对应的A输入发生变化时，Q输出就会随之变化。nLE为低电平时，锁存器会存储nLE从高电平跃迁至低电平前的一个设置时间在输入处出现的信息。nLOE上的高电平使Q输出呈高阻抗关断状态。nLOE输入的操作不会影响锁存器的状态。

• 1.2 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 符合JEDEC标准JESD8-B
• CMOS低功耗
• 具有TTL电平的直接接口
• 所有数据输入都具有总线保持
• 85 °C时输出驱动能力为50 Ω的传输线路
• VCC = 3.0 V时电流驱动± 24 mA

• 74AUP1G04GM - 低功耗反相器
• PSMN041-80YL - N沟道80 V 41 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56封装
• PESDxL4UF; PESDxL4UG; PESDxL4UW - 低电容单向四倍ESD保护二极管阵列
• PTVS20VP1UTP - 高温600 W瞬态电压抑制器
• BZX79-B7V5 - 稳压器二极管
• BA891 - 频段切换二极管
• NZX5V1D - 单倍齐纳二极管
• 74HC112PW - 带设置和复位功能的双频JK触发器；负沿触发器
• PTVS6V0S1UR - 400 W瞬态电压抑制器
• CLF1G0035S-100P - 宽带RF功率GaN HEMT