74AUP1G240提供带3态输出的单路反相缓冲器/线路驱动器。3态输出通过输出使能输入(OE)控制。针脚OE处的高电平使输出呈高阻抗关断状态。

该器件具有输入禁用功能，它允许浮动输入信号。输出使能输入OE为高电平时，输入处于禁用状态。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全针对使用IOFF的局部掉电应用设计。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• 输入禁用特性允许浮空输入条件
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C

• 74LVC2G08DC - 双路2输入与门
• BC55-16PA - 60 V，1 A NPN中等功率晶体管
• PSMN102-200Y - N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET
• BUK7Y19-100E - N沟道100 V，19 mΩ标准电平MOSFET，采用LFPAK56封装
• PESD5V0V2BM - Very low capacitance bidirectional ESD protection diodes
• UBA2213BT - 用于升压CFL的不可调光驱动器IC
• P5CC080 - 安全双接口和接触式PKI智能卡控制器
• NX3L1T53 - 低电阻单刀双掷模拟开关
• 74LVT04PW - 3.3 V六频逆变器
• 74LVC1G34 - 单路缓冲器