74AUP1G19提供带公共输出使能的2选1解码器/解复用器。该器件缓冲输入针脚A上的数据并将其传输到输出针脚1Y（真正）或2Y（补充），具体取决于使能输入针脚E的状态是低电平还是高电平。

所有输入处的施密特触发器动作使电路能容许整个0.8 V至3.6 V的VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保0.8 V至3.6 V的整个VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止断电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101-E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 uA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PMZ290UNE - 20 V，N沟道Trench MOSFET
• BZV90-C5V6 - 稳压器二极管
• TDZ10J - 单倍齐纳二极管
• PTVS30VS1UR - 400 W瞬态电压抑制器
• 74AHCT86PW - 四路2输入异或门
• PSMN009-100B - N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET
• BAS16LD - 单个高速开关二极管
• 74HCT109D - 带设置和复位功能的双频JK触发器；正沿触发器
• BUK964R2-60E - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• 74ALVT162827 - 20位缓冲器/线路驱动器，非反相，具有30 Ohm端接电阻（3态）