74AUP1G18提供带3态输出的2选1非反相解复用器。74AUP1G18缓冲输入针脚(A)上的数据并将其传输到输出1Y或2Y，具体取决于选择输入针脚(S)的状态是低电平还是高电平。

所有输入处的施密特触发器动作使电路能容许整个0.8 V至3.6 V的VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。该器件可确保整个0.8 V至3.6 V的CC范围内极低的静态和动态功耗。

该器件完全针对使用IOFF的局部掉电应用设计。IOFF电路可禁用输出，防止断电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 uA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• KMA215 - 可编程角度传感器（带SAE J2716 SENT）
• PZU13B1 - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• 74AHCT1G17GF - 单频施密特触发缓冲器
• BGM1013 - MMIC宽带放大器
• PBSS4021PZ - 20 V，6.6 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• 74LVC1G123DP - 单可再触发单稳态多谐振荡器；施密特触发器输入
• BUK9506-75B - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• TDA8932BTW - D 类音频放大器
• XC7SET32GW - 2输入或门
• BLF882 - 超高频LDMOS功率晶体管