74AUP1G18提供带3态输出的2选1非反相解复用器。74AUP1G18缓冲输入针脚(A)上的数据并将其传输到输出1Y或2Y，具体取决于选择输入针脚(S)的状态是低电平还是高电平。

所有输入处的施密特触发器动作使电路能容许整个0.8 V至3.6 V的VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。该器件可确保整个0.8 V至3.6 V的CC范围内极低的静态和动态功耗。

该器件完全针对使用IOFF的局部掉电应用设计。IOFF电路可禁用输出，防止断电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 uA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PDTC143ZU - NPN配电阻晶体管；R1 = 4.7 kΩ，R2 = 47 kΩ
• PZU8.2B2L - 单倍齐纳二极管
• BZX84-C30 - 稳压器二极管
• PHP18NQ11T - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• PDTC123JM - NPN配电阻晶体管；R1 = 2.2 kΩ，R2 = 47 kΩ
• PSMN2R4-30YLD - N沟道30 V，2.4 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56封装，使用NextPowerS3技术
• BZX384-B6V8 - 稳压器二极管
• PMMT591A - PNP BISS晶体管
• BLF7G15LS-200 - 功率LDMOS晶体管
• PTVS28VP1UP - 600 W瞬态电压抑制器