74AUP1G17提供单路施密特触发缓冲器。它们能够将缓慢变化的输入信号转变为清晰的无抖动输出信号。

该器件可确保在0.8 V至3.6 V的整个VCC范围内具有极低的静态和动态功耗。

该器件完全指定用于使用IOFF的部分掉电应用。IOFF电路可禁用输出，从而防止掉电时电流回流对器件造成的损坏。

该输入在不同点进行开关以实现正向和负向信号。正向电压VT+和负向电压VT-之间的差值被定义为输入迟滞电压VH。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大值）
• 根据JESD 78 II类，锁存性能超过100 mA
• 输入接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲<VCC的10 %
• IOFF电路提供部分掉电模式操作
• 多个封装选项
• 指定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• BUK9620-100B - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• 74HC4046ADB - 锁相环，具有VCO
• 74HC14PW - 十六进制反相施密特触发器
• BUK9Y07-30B - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• PMDT290UCE - 20 / 20 V，800 / 550 mA N/P沟道Trench MOSFET
• 74LVC162373ADGG - 16位D型透明锁存器；30 Ω串联端接电阻；5 V容压输入/输出；3态
• NVT2001GM - 适用于开漏和推挽应用的双向电压电平变换器
• PESD5V0U1BA - 超低电容双向ESD保护二极管
• 74AUP1G19GW - 低功耗2选1解码器/解复用器
• 74LVC(H)16244A - 16位缓冲器/线路驱动器；5 V输入/输出容压；3态